+ All Categories
Home > Documents > ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

Date post: 28-Oct-2021
Category:
Upload: others
View: 5 times
Download: 0 times
Share this document with a friend
40
4-2 テラヘルツ無線を可能にする要素技術の動向と課題 ここでは、テラヘルツ無線を実現する上で、重要な要素技術として、デバイス及びアン テナ技術についての現状と今後の可能性について、各分野の第1人者にヒアリングを実施す るとともに、テラヘルツ無線の利用シーンを実現するための技術課題と研究開発戦略をと りまとめた。 4-2-1 デバイス・アンテナ技術の動向 講演概要 ○テラヘルツ波を用いた超高速無線通信の実現に向けて必要とされるであろうデバイスと アンテナ目標とするパラメータを試算した。試算した結果を基にSi CMOS, SiGeデバイス、 化合物半導体デバイスなど多岐にわたるデバイス技術について最新の動向を述べられた。 これらデバイスを用いた回路での増幅、発振についても動向が報告された。 アンテナ技術に関しては主にオンチップアンテナ、オフチップアンテナという観点で比 較した動向が報告され、メタマテリアルの可能性についても触れられている。 ○テラヘルツ無線通信の実現に向けて、ASK変調方式で通信距離を5mと仮定した場合に、転 送速度100Gbpsを達成するためには出力1mW、アンテナ利得は25dBiが必要であると試算。 この結果を基本に、現状のデバイス、アンテナ技術の動向と照らし合わせて、テラヘル ツ無線の実現性を検討した。今回いくつかパラメータを仮定したが、NF(Noise Figure) 15dB等の目標値の妥当性と実現可能性については今後の精査が必要である。 ○Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体でのHBTではTeledyneにより商業ベースで遮断周波数(f T )660GHz、最 大発振周波数(f max )392GHzという特性を示している(エミッター-ベース接合幅500nm)研究段階のものでは接合幅を256nmにすることでf T , f max はそれぞれ660GHz780GHzにまで 高速化が実現されており、さらに接合幅を64nmまで狭くすることでf T =1THz, f max =1.5THz という1THzを超える動作周波数を目指している。 ○Ⅲ-Ⅴ族HEMTでは、InP系材料を中心にf T , f max ともに300GHzを超えるものが出ており、研 究ベースではf max 1THzを超えており、 300GHzLNAとしての動作確認もなされている。こ れらの進展はゲート長を小さくすることによるが、寄生抵抗・寄生容量の影響を除去す ることがより重要となってくる。 SiCMOSはコスト、信頼性、他機能との集積化に対しては有利ではあるが、NF、利得、出 力の点では不利な材料と言える。とは言え400GHzに迫る特性が出されており、近い将来 には600GHzのものが出てくると思われる。 ○上記の高周波デバイスを活用した回路による増幅器、発振器、ミキサーなどの報告も数 多く出されている。増幅器では300GHzを超えるものが出ており、発振器では700GHzに迫 るものも報告されている。また、CMOSを用いた300GHz MMICも数年のうちには登場するも のと期待されるが、いずれも利得と出力の向上のために高効率化を図ることが重要な課 (テーマ)デバイス・アンテナ技術の動向 (講 師)日本電信電話株式会社 マイクロシステムインテグレーション研究所 ソン・ホジン研究員 75
Transcript
Page 1: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

4-2 テラヘルツ無線を可能にする要素技術の動向と課題

ここでは、テラヘルツ無線を実現する上で、重要な要素技術として、デバイス及びアン

テナ技術についての現状と今後の可能性について、各分野の第1人者にヒアリングを実施す

るとともに、テラヘルツ無線の利用シーンを実現するための技術課題と研究開発戦略をと

りまとめた。

4-2-1 デバイス・アンテナ技術の動向

講演概要

○テラヘルツ波を用いた超高速無線通信の実現に向けて必要とされるであろうデバイスと

アンテナ目標とするパラメータを試算した。試算した結果を基にSi CMOS, SiGeデバイス、

化合物半導体デバイスなど多岐にわたるデバイス技術について最新の動向を述べられた。

これらデバイスを用いた回路での増幅、発振についても動向が報告された。

アンテナ技術に関しては主にオンチップアンテナ、オフチップアンテナという観点で比

較した動向が報告され、メタマテリアルの可能性についても触れられている。

○テラヘルツ無線通信の実現に向けて、ASK変調方式で通信距離を5mと仮定した場合に、転

送速度100Gbpsを達成するためには出力1mW、アンテナ利得は25dBiが必要であると試算。

この結果を基本に、現状のデバイス、アンテナ技術の動向と照らし合わせて、テラヘル

ツ無線の実現性を検討した。今回いくつかパラメータを仮定したが、NF(Noise Figure)

が15dB等の目標値の妥当性と実現可能性については今後の精査が必要である。

○Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体でのHBTではTeledyneにより商業ベースで遮断周波数(fT)660GHz、最

大発振周波数(fmax)392GHzという特性を示している(エミッター-ベース接合幅500nm)。

研究段階のものでは接合幅を256nmにすることでfT, fmaxはそれぞれ660GHz、780GHzにまで

高速化が実現されており、さらに接合幅を64nmまで狭くすることでfT=1THz, fmax=1.5THz

という1THzを超える動作周波数を目指している。

○Ⅲ-Ⅴ族HEMTでは、InP系材料を中心にfT, fmaxともに300GHzを超えるものが出ており、研

究ベースではfmaxが1THzを超えており、300GHzのLNAとしての動作確認もなされている。こ

れらの進展はゲート長を小さくすることによるが、寄生抵抗・寄生容量の影響を除去す

ることがより重要となってくる。

○SiCMOSはコスト、信頼性、他機能との集積化に対しては有利ではあるが、NF、利得、出

力の点では不利な材料と言える。とは言え400GHzに迫る特性が出されており、近い将来

には600GHzのものが出てくると思われる。

○上記の高周波デバイスを活用した回路による増幅器、発振器、ミキサーなどの報告も数

多く出されている。増幅器では300GHzを超えるものが出ており、発振器では700GHzに迫

るものも報告されている。また、CMOSを用いた300GHz MMICも数年のうちには登場するも

のと期待されるが、いずれも利得と出力の向上のために高効率化を図ることが重要な課

(テーマ)デバイス・アンテナ技術の動向

(講 師)日本電信電話株式会社

マイクロシステムインテグレーション研究所 ソン・ホジン研究員

75

Page 2: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

題である。

○アンテナについてはオンチップアンテナとオフチップアンテナの比較が述べられた。そ

れぞれ一長一短があるが、いずれも利得は15dB以下であり300GHz通信に必要とする25dB

には遠く及ばない。オフチップアンテナの中ではメタマテリアルの可能性も指摘された。

周波数が高くなるにつれて表皮抵抗が無視できなくなる中でメタルを用いない導波路形

成という点でフォトニック結晶のような構造による導波にも期待される。テラヘルツ帯

デバイスの開発において、アンテナ特性の改善がかなり重要なものとなっている。

質疑応答

○テラヘルツ無線の実現に向けて、シリコン系デバイスと化合物半導体デバイスは、どの

ような位置付けとなるか。

→現時点での高周波デバイスとしては特性に優れた化合物半導体デバイスとコスト面で

有利と思われるシリコン系デバイスと言った構図になっているが、ミリ波の開発の流

れと同様に化合物デバイスが開発の先導をしていきながら、やがてシリコン系デバイ

スに置き換わるという流れが想定される。ただし、特性の面で優位性のある化合物半

導体デバイスの将来性がないわけではない。

○コストの観点から、テラヘルツ波無線を実現するために重要な要素は何か。

→60GHz無線の動向と同じように、材料価格、生産設備能力の点で言えばやはりシリコン

系デバイスが有利である。しかし、ミリ波やテラヘルツ波の分野ではアンテナなどの

コンポーネントの集積化、実装技術が大きなコスト要因であると思われる。特にアン

テナに関してはミリ波においてもシリコンの上に集積化できていない。そういった点

からもシリコンか化合物かと言う基板の比較だけでなく、同じ基板上に実装・集積化

できるかどうかを検討することが重要である。生産技術の点からは、コストを下げよ

うとすると実装技術へのウェイトが高くなり、コストと特性の両面からのアンテナ特

性の改善がテラヘルツ波無線通信の実現に向けて非常に重要な要素である。

○座長より、今回の講演で紹介されたデバイス技術のほとんどが欧米のグループによる成

果であることは、日本としては憂慮すべきとのコメントがあった。

76

Page 3: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

1

Rev

iew

on

Dev

ice,

Circ

uit

and

Ant

enna

Tec

hnol

ogie

s

for T

erah

ertz

Com

mun

icat

ion

Sys

tem

Ho-

Jin

Son

g

NTT

Mic

rosy

stem

Inte

grai

on L

abs.

,

2010

. 2. 2

.2

3

•10

0 G

bps

Upt

o 10

0 G

bps

is a

vaila

ble.

But

at l

east

,–

appr

oxim

atel

y 1-

mW

out

put p

ower

–M

ore

than

25

dBi a

nten

na g

ain

Freq

uenc

y (G

Hz)

300

/ 600

Loss

in A

ir (d

B/K

m)

10 /

100

Dis

tanc

e (m

)5

Spe

ctra

l effi

cien

cy

(bit/

Hz)

1 (A

SK

)

Rad

iate

d po

wer

(dB

m)

0

Noi

se le

vel (

dBm

/Hz)

-174

Noi

se fi

gure

(dB

)15

Sys

tem

mar

gin

(dB

)10

510

1520

2530

350.

010.1110100

Maximum capacity (Gbps)

Ante

nna

gain

(dBi

)

10-d

Bm

0-dB

m

-10-

dBm

Sol

id: 3

00 G

Hz

Ope

n: 6

00 G

Hz

4

•1-

mW

Out

put p

ower

in T

x–

Tx o

utpu

t sta

ge w

ith 2

-V /

5-m

A D

C, 1

0-%

PA

E–

But,

may

be p

oore

r effi

cien

cy o

f aro

und

a co

uple

of %

in T

Hz

regi

on.

–M

aybe

com

e fro

m h

uge

loss

eve

n in

ICs

(con

duct

ive

loss

, die

lect

ric

loss

)•

15-d

B N

oise

figu

re o

f Rx

–Lo

ss in

fron

t of L

NA

(eg.

ant

enna

feed

ing

line

) may

cau

se p

robl

em in

N

F of

Rx

•25

-dB

i Ant

enna

–Ap

prox

imat

ely,

1-c

m lo

ng h

orn

ante

nna

prov

ides

25-

dBi g

ain

–In

cas

e of

arr

ayed

ant

enna

, mor

e th

an 1

00 u

nits

of 5

-dB

pat

ch a

re

nece

ssar

y–

Bea

mst

eerin

g to

ove

rcom

e LO

S o

pera

tion

•O

pera

ting

frequ

ency

–Fo

r 300

-GH

z am

plifi

er, 4

00~6

00-G

Hz

f T/f M

AX

devi

ces

are

nece

ssar

y.

77

Page 4: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

56

III-V

HB

T•

R&

D H

BT,

Rod

wel

l Gro

up, U

CS

B, U

SA

–In

200

8, H

BT

with

500

-nm

em

itter

-bas

e ju

nctio

n w

idth

was

co

mm

erci

aliz

ed b

y Te

ledy

ne (f

T=

405

GH

z, f M

AX

= 39

2 G

Hz)

–25

6-nm

lab.

-ver

sion

dev

ice

show

s m

axim

um f T

and

f MA

Xof

660

GH

z an

d 78

0 G

Hz,

resp

ectiv

ely

and

~3-V

of B

VC

E.

•Ap

plie

d to

300

-GH

z ba

nd a

mpl

ifier

(det

ails

late

r)–

Aim

ing

to 6

4-nm

HB

T w

ith 1

-TH

z f T

and

1.5-

THz

f MA

X

0102030

109

1010

1011

1012

109

1010

1011

1012

dB

Hz

f � = 5

60 G

Hz

f max

= 5

60 G

Hz

U

H21

M. R

odw

ell,

et a

l.,C

SIC

200

8

7

III-V

R&

D H

BTs

(~20

08)

0

200

400

600

800

1000

020

040

060

080

010

00

Tele

dyne

DB

HT

UIU

C D

HB

T

NTT

DB

HT

ETH

Z D

HBT

UIU

C S

HBT

UC

SB D

HB

T

NG

ST

DH

BT

HR

L D

HB

T

IBM

SiG

e

Vite

sse

DH

BT

fmax (GHz)

f t (GH

z)

600

GH

z50

0G

Hz

max

ff �

Upd

ated

Sep

t. 20

08

800

GH

z90

0 G

Hz

700

GH

z40

0G

Hz

250 n

m

350 n

m

250 n

m

125 n

m

8

III-V

HE

MT

•R

&D

pH

EM

T, J

. A. d

e A

lam

o G

roup

, MIT

, US

A

–Be

st re

cord

hol

der a

t 200

9–

30-n

m In

As/

InP

-HE

MT:

f T/ f

MA

X=

601

/ 609

GH

z(IE

DM

2008

)–

30-n

m In

As/

InP

-HEM

T: f T

/ fM

AX

=62

8/3

31 G

Hz

(ED

L200

8)–

50-n

m In

As/

InP

-HEM

T: f T

/ fM

AX

=55

7/7

18 G

Hz

(ED

L200

8)

–Bu

t, m

ain

targ

et o

f the

dev

elop

men

t is

for d

igita

l VLS

I app

licat

ions

su

ch a

s ne

xt g

ener

atio

n m

icro

proc

esso

r

78

Page 5: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

9

III-V

HE

MT

•R

&D

pH

EM

T,N

orth

rop

Gru

mm

an, U

SA

–Fo

rmer

TR

W, o

ne o

f the

maj

or c

ompa

ny fo

r mili

tary

and

spa

ce s

yste

m–

Con

duct

ing

‘Ter

aher

tz E

lect

roni

cs’ p

rogr

am s

uppo

rted

by D

AR

PA

•St

arte

d at

Apr

il 20

09•

Dev

elop

men

t of t

rans

isto

r for

MM

ICs

oper

atin

g at

670

GH

z–

InP

HE

MT

with

fmax

gre

ater

than

1 T

Hz

(IED

M20

07)

•f T

=38

5 G

Hz,

f MA

X>

1 TH

z•

Succ

essf

ully

app

lied

to 3

00-G

Hz

LNA

10

III-V

HE

MT

•Fo

undr

y se

rvic

e of

III-V

HFE

T–

OM

MIC

, Fra

nce

•70

-nm

MH

EM

T (f T

/ fM

AX: 3

00 /

350-

GH

z)–

Nor

thro

p G

rum

man

, US

A•

100n

m In

P H

EM

T (f T

/ fM

AX: 1

80 /

350-

GH

z)–

UM

S (F

ranc

e)•

150-

nm G

aAs

pHE

MT

(110

-GH

z cu

t-off)

•S

chot

tky

dio

de (3

-TH

z cu

t-off)

11

R&

D II

I-VH

EM

T

12

R&

D II

I-VH

EM

T

At t

his

mom

ent,

elim

inat

ing

para

sitic

effe

cts

is th

e ke

y to

im

prov

e de

vice

per

form

ance

, not

gat

e-le

ngth

79

Page 6: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

13

Si-C

MO

S•

Larg

e po

tent

ial o

n co

st, r

elia

bilit

y an

din

tegr

atio

n w

ith o

ther

fu

nctio

n bl

ocks

suc

h as

a D

SP

and

RA

M•

Lim

itatio

n fo

r TH

z-ap

plic

atio

ns

–hi

gh s

ubst

rate

loss

�hi

gh s

igna

l los

s an

d no

ise

figur

e–

low

Gm

�lo

w g

ain

–lo

w b

reak

dow

n vo

ltage

�lo

w o

utpu

t pow

er•

65-n

m b

ulk

Si-C

MO

S w

as s

ucce

ssfu

lly a

pplie

d to

sev

eral

ICs

opea

rting

in 1

00~2

00 G

Hz

band

s.–

Exp

ecte

d f T

/f AM

Xof

65-

nm b

ulk

Si-C

MO

S: 1

70/2

00 G

Hz

•R

&D

CM

OS

,IB

M, U

SA

(IE

DM

2007

)–

f Tof

485

GH

zan

d 34

5 G

Hz

for N

-FE

T an

d P

-FE

T in

a 4

5-nm

S

OI C

MO

S p

roce

ss

14

Si-N

MO

S (C

MO

S)

http

://w

ww

.itrs

.net

/

15

SiG

e H

BT

•Lo

wer

cos

t tha

n III

-V d

evic

e, c

ompa

tible

with

Si-C

MO

S•

Com

parin

g to

CM

OS

, SiG

e H

BT

has

seve

ral m

erits

suc

h as

hig

her G

m, l

arge

r Zo

ut, e

asie

r mat

chin

g an

d sm

alle

r 1/f

nois

e.

•B

ut, e

xtra

cos

t is

requ

ired

for S

iGe

proc

esse

s on

bas

elin

e C

MO

S fa

b.

•TM

TT20

04, S

iGe

HB

T, IB

M, U

SA

–U

p to

9H

P p

roce

sses

(0.1

3-um

, fT

/ fM

AX

=35

0 / 3

00-G

Hz)

are

dev

elop

ed

–IB

M s

erve

s th

e 8H

P(0

.13-

um, f

T/ f

MA

X=

210

/285

-GH

z)pr

oces

s as

a fo

undr

y se

rvic

e.–

Suc

cess

fully

app

lied

to 1

00-G

Hz

band

s IC

s. (d

etai

ls la

ter)

16

SiG

e H

BT

The

spee

d en

hanc

emen

t was

prim

arily

ach

ieve

dth

roug

h ve

rtica

l and

la

tera

l sca

ling,

resu

lting

in th

ere

duct

ion

of tr

ansi

t tim

e an

d pa

rasi

tic

resi

stan

ce a

ndca

paci

tanc

e.

IBM

-9H

P

IBM

-8H

P

80

Page 7: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

17

Sch

ottk

y B

arrie

r Dio

de•

SB

Ds

wor

king

ove

r 1 T

Hz

are

avai

labl

e w

ith a

lmos

t all

mat

eria

ls–

CM

OS

•Fl

orid

a U

niv.

repo

rts C

oSi2

-Si S

BD

wor

king

ove

r 1.7

TH

z w

ith

bulk

-Si 1

30-n

m C

MO

S p

roec

ss•

Res

ista

nce

and

capa

cita

nce

of >

10 �

and

8 fF

, res

pect

ivel

y–

GaA

s•

Virg

inia

Dio

de In

c.: >

3 T

Hz,

dis

cret

e an

d fu

ll-cu

stom

ized

foun

dry

•Te

ledy

ne S

I.: >

2 T

Hz,

dis

cret

e •

UM

S: >

3-TH

z, fu

ll-cu

stom

ized

foun

dry

18

UTC

-PD

s•

Hig

h sp

eed

and

high

out

put p

ower

by

uni-c

arrie

r ope

ratio

n•

Spee

d pe

rform

ance

mai

nly

relie

s on

the

junc

tion

size

of t

he d

evic

e

•N

TT, J

apan

–50

0 uW

@35

0 G

Hz,

11

uW@

1.1

THz

(Fig

. 1~3

) with

reso

nant

type

de

vice

s (IR

MM

W-T

H20

08)

–2.

3 uW

@ 1

.0 T

Hz

(Fig

. 4) w

ith w

ideb

and

type

dev

ices

inte

grat

ed w

ith

a lo

g-pe

riodi

c an

tenn

a (J

LT20

05)

Fig.

1

Fig.

2Fi

g. 3

Fig.

4

19

Pla

smon

ic D

evic

es•

Plas

mon

reso

nanc

e of

two-

dim

ensi

onal

ele

ctro

n sy

stem

whi

ch w

ould

ex

ist i

n H

EM

T st

ruct

ure

–R

eson

ance

freq

uenc

y is

func

tion

of a

gat

e le

ngth

in H

EM

T st

ruct

ure

–Su

b-m

icro

HE

MT

can

be u

tiliz

ed a

s a

emitt

er o

r det

ecto

r of T

Hz

wav

es

•O

tsuj

i Gro

up, T

ohok

u U

niv.

Jap

an–

InG

aP/In

GaA

s/G

aAs

HE

MT

stru

ctur

e w

ith in

terd

igita

ted

dual

-gat

es–

THz

radi

atio

n in

0.5

~3 T

Hz

with

~uW

pow

er

20

III-V

HE

MT

III-V

HB

TS

i CM

OS

SiG

e H

BT

300

400

500

600

700

100

200

0

Com

mer

cial

R&D

Freq

uenc

y (G

Hz)

23

10

J~uA

/um

**J~

mA

/um

**J~

mA

/um

J~m

A/u

m*

* Nor

mal

ized

by

gate

leng

th

for F

ETs

or E

B-j

unct

ion

leng

ths

of H

BT

** F

or 0

.13-

um w

idth

for

both

III-V

and

SiG

e H

BTs

Brea

kdow

n Vo

ltage

(V)

•III

-V

III-V

dev

ices

sho

w s

uper

ior p

erfo

rman

ce in

spe

ed a

nd p

ower

.

81

Page 8: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

21

ITR

S20

07:

2006

2008

2010

2012

2014

2016

200

400

600

800

1000

Ft

Fm

ax HBT

HEM

T C

MO

S S

iGe

HBT

Frequency (GHz)

Year

•C

omm

erci

al C

MO

Sw

ill re

ach

to 6

00-G

Hz

in a

few

yea

rs b

ased

on

adva

nced

fabr

icat

ion

tech

nolo

gy (l

ithog

raph

y, c

hem

ical

, etc

..).

•Fo

r HB

T, m

argi

n on

sca

ling

(256

-nm

�64

-nm

)•

For H

EM

T, g

ate

leng

th re

ach

to n

ear p

hysi

cal l

imita

tion.

–Bu

t 1-T

Hz

devi

ce w

ould

be

avai

labl

e by

redu

cing

par

asiti

c ef

fect

. (T

WH

M20

09, d

el A

lam

o, M

IT, )

22

ITR

S20

07:

•Bu

t, C

MO

Sm

ay o

ffer l

imite

d pe

rform

ance

in o

utpu

t pow

er

and

nois

e–

On

the

othe

r han

d, II

I-V d

evic

es h

ave

still

mer

its in

per

form

ance

2006

2008

2010

2012

2014

2016

0123456 H

BT H

EMT

CM

OS

SiG

e HB

T

Breakdown voltage (V)

year

2006

2008

2010

2012

2014

2016

0123456

HEM

T C

MO

S S

iGe

HBT

Noise Figure (dB)

Year

23

:•

700-

GH

z H

EM

T/H

BTs

480-

GH

z S

i-MO

Ss

For R

&D

dev

ice,

700

-GH

z H

EM

T/H

BTs

and

480

-GH

z S

i-M

OS

s ar

e av

aila

ble

at th

is ti

me.

–Sc

alin

g w

asm

ain

issu

e. B

ut fu

rther

impr

ovem

ent w

ill b

e on

how

to

supp

ress

para

sitic

com

pone

nt fo

r all

of d

evic

es.

•, 2

00~3

00 G

Hz

III-V

and

Si

For c

omm

erci

alfo

undr

y se

rvic

es,2

00~3

00 G

Hz

devi

ces

are

avai

labl

ew

ith b

oth

of II

I-V a

nd S

i dev

ices

.–

Acco

rdin

g to

ITR

S ro

adm

ap (R

F/A

MS

Tec

hnol

ogie

sse

ctio

n),

prog

ress

of S

i-dev

ices

wou

ld b

e m

uch

fast

er th

an II

I-V d

evic

es,

prob

ably

due

to m

arke

t iss

ue.

Sch

ottk

y di

ode

for T

Hz

oper

atio

n is

ava

ilabl

e.

24

HB

T/H

EM

T/C

MO

S/S

iGeH

BT

82

Page 9: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

25

HB

T: 3

24-G

Hz

Am

plifi

er•

IMS

2008

, Tel

edyn

e+U

CS

B, U

SA

–25

0-nm

InP

HB

T (f T

/f max

=>37

3/55

0 G

Hz)

–Si

ngle

sta

ge a

mpl

ifier

•4.

8-dB

Gai

n @

324

GH

z•

~1.3

-mW

Psa

t @ 3

24 G

Hz

(PA

E o

f < 2

-%)

•M

icro

strip

line

tran

smis

sion

line

(hB

CB=1

0 um

)

26

HE

MT:

270

-GH

z A

mp.

•M

WC

L200

7, N

orth

rop

Gru

mm

an, U

SA

–3-

stag

e am

plifi

er w

ith 3

5-nm

InP

pH

EM

T–

11.6

-dB

Gai

n @

270

-GH

z–

7.5-

dB N

F @

270

-GH

z–

DC

pow

er: 0

.8-V

/ 13

.8 m

A (~

11 m

WD

C)

–G

CP

W tr

ansm

issi

on li

ne (h

CP

W=6

20um

)

27

HE

MT:

300

-GH

z A

mpl

ifier

mod

ule

•IP

RM

2009

, Fra

unho

fer I

nstit

ute

(IAF)

, Ger

man

y–

35-n

m In

AlA

s/In

GaA

s m

HE

MT

(f T/f m

ax=5

15/7

00 G

Hz)

–G

CP

W tr

ansm

issi

on li

ne w

ith V

IA p

roce

ss (g

CP

W=1

4 um

, hS

UB=5

0 um

)–

Sing

le s

tage

am

plifi

er.

•>

5-dB

gai

n in

258

~308

GH

z–

4-st

age

ampl

ifier

•12

~13-

dB g

ain

in 2

64~3

00 G

Hz

–H

-ban

d w

agve

guid

e tra

nsiti

on w

ith p

robe

-type

tran

sitio

n on

qua

rtz

28

HE

MT:

300

-GH

z Fr

eq. d

oubl

er +

Mix

er•

EuM

IC20

09, F

raun

hofe

r Ins

titut

e (IA

F), G

erm

any

–50

-nm

InA

lAs/

InG

aAs

mH

EM

T (f T

/f max

=400

/420

GH

z)–

Freq

uenc

y do

uble

r•

> 10

% c

onve

rsio

n ef

ficie

ncy

•-6

.4-d

Bm

Psa

t @ 3

10 G

Hz

•-9

.5-d

Bm

Pav

g in

250

~310

GH

z–

Dou

bler

+ M

ixer

•20

-dB

con

vers

ion

loss

in 2

46~3

00 G

Hz

•R

esis

tive

mix

er

Dou

bler

Dou

bler

+mix

er

83

Page 10: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

29

HE

MT:

200

-GH

z A

ctiv

e R

ecei

ver

•Eu

MIC

2009

, Fra

unho

fer I

nstit

ute

(IAf),

Ger

man

y –

100-

nm In

AlA

s/In

GaA

s m

HE

MT

(f T/f m

ax=

220/

300

GH

z)–

LNA

+ H

EM

T M

ixer

+ L

O-fr

eq. d

oubl

er +

LO

driv

ing

ampl

ifier

–7-

dB C

onve

rsio

n ga

in @

200

-GH

z, -1

3 dB

m L

O d

rivin

g–

Chi

p: 1

x4 m

m2

30

HE

MT:

346

-GH

z O

scill

ator

•M

WC

L200

7, N

orth

rop

Gru

mm

an, U

SA

–35

-nm

InG

aAs/

InP

HE

MT

(f T/f m

ax=

??

/ 600

GH

z)–

Com

mon

gat

e fo

r con

ditio

nal s

tabl

e–

GC

PW

tran

smis

sion

line

(hC

PW

~630

um

)

ICs

for 3

46 G

Hz

Dow

ncon

verte

d ou

tput

31

CM

OS

: W-b

and

Am

p.•

ISS

CC

2009

, San

dsto

rm, e

t al.,

TK

K-H

UT,

Fin

land

–65

-nm

Si-M

OS

–4-

stag

e co

mm

on s

ourc

e–

80 ~

100

GH

z–

Gpe

ak=

13 d

B, P

sat=

10.0

dB

m (P

AE

=7.3

%)

–N

F =

8.5~

7.5

dB

32

CM

OS

: 150

GH

z A

mp.

•IS

SC

C20

09, M

. Rod

wel

l gro

up, U

CS

B, U

SA

–65

-nm

dig

ital S

i-CM

OS

–3-

stag

e co

mm

on s

ourc

e–

150

GH

z (f -

3dB=

27 G

Hz)

–G

peak

= 8.

2 dB

, Psa

t=

6.3

dBm

(Pad

s w

ere

deem

bedd

ed)

84

Page 11: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

33

CM

OS

: 128

-137

GH

z fre

quen

cy d

ivid

er•

ISS

CC

2009

, Liu

Gro

up, N

atio

nal T

aiw

an U

., Ta

iwan

–65

-nm

Si-M

OS

–In

ject

ion

Lock

ing

type

–12

8~13

7 G

Hz

lock

ing

rang

e–

Out

putp

ower

< -2

4dB

m•

<1-%

con

vers

ion

effic

ienc

y

V in=

128

GH

zV i

n=13

7 G

Hz

34

CM

OS

: 410

-GH

z os

cilla

tor

•IS

SC

C20

08, K

.K.O

Gro

up, F

lorid

a U

., U

SA

–45

-nm

low

-leak

age

Si-M

OS

–Pu

sh-P

ush

2nd

harm

onic

osc

illat

or–

Inte

grat

ed p

atch

ant

enna

–-4

9-dB

m @

410

GH

z•

No

gain

from

200

-GH

z ou

tput

buf

fer

•Ve

ry lo

w e

ffici

ency

of a

nten

na (<

20%

, 7dB

loss

)•

Ante

nna

mis

mat

chin

g lo

ss (~

2dB

)•

Loss

in s

ubst

rate

and

low

-Q p

assi

ve c

ompo

nent

35

CM

OS

: SB

D fr

eque

ncy

doub

ler

•M

WC

L200

9, K

.K.O

Gro

up, F

lorid

a U

., U

SA

–13

0-nm

UM

C C

MO

S p

roce

ss–

SB

D: 3

-um

2ef

fect

ive

area

, •

14-�

Rs,

15-fF

CJ�

~750

-GH

z cu

toff

•50

0-uA

bia

s cu

rren

t–

128~

134

GH

z 3-

dB B

W–

14-d

B c

onve

rsio

n lo

ss @

134

GH

z•

-11

dBm

out

put p

ower

•14

-dB

fund

. rej

ectio

n @

out

put

36

CM

OS

: 140

-GH

z re

ceiv

er•

RFI

CS

2008

, Nic

olso

n et

al.,

U. o

f Tor

onto

, Can

ada

–65

-nm

STM

icro

elec

troni

cs G

P C

MO

S (f

T/f m

ax=1

70/2

40 G

Hz)

–Ta

pere

d an

tenn

a +

LNA

+ d

ownc

onve

rter +

IF a

mp.

•To

tal C

L: 1

5-19

dB

in 1

00-1

40 G

Hz

•An

tenn

a lo

ss ~

25

dB !!

•LN

A: 8

-dB

gai

n, -1

.8-d

Bm

Psa

t

•M

ixer

: 5-d

B C

L, 2

2-dB

NF

IFm

ixer LN

A

85

Page 12: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

37

SiG

e H

BT:

140

-GH

z A

mp.

•R

FIC

S20

07, L

aski

n et

al.,

U. o

f Tor

onto

, Can

ada

–ST

Mic

roel

ectro

nics

SiG

e H

BT

(f T/f m

ax=2

30/3

00 G

Hz)

–5-

stag

e ca

scod

e–

17-d

B g

ain

@14

0 G

Hz,

1-d

Bm

Psa

t

338

SiG

e: 2

78-G

Hz

Pus

h-P

ush

VC

O•

IMS

2007

, Wan

ner e

t al.,

Tec

hnis

che

Uni

v.,

Ger

man

y–

Infin

eon

SiG

e H

BT

(f T/f m

ax=2

70/3

40 G

Hz)

–Pu

sh-P

ush

conf

igur

atio

n.•

-20~

-25-

dBm

out

put p

ower

in 2

75.5

~279

.6 G

Hz

39

SiG

e: 1

70-G

Hz

Tran

scei

ver

•R

FIC

S20

08, L

aski

n et

al.,

U. o

f Tor

onto

, Can

ada

–Si

Ge

HBT

(fT/

f max

=270

/340

GH

z)–

Tx/R

x-an

tenn

a, T

x/R

x am

plifi

er, R

x m

ixer

, 165

-GH

z O

sc.

•Am

plifi

er: 1

5-dB

gai

n,0-

dBm

Psa

tin

166~

174

GH

z •

Rec

eive

r: ~2

1-dB

noi

se fi

gure

w/o

ant

enna

•Tr

ansm

itter

: -5-

dBm

out

put p

ower

w/o

ant

enna

•A

nten

na: d

ipol

e an

tenn

a, 2

1-dB

loss

40

RTD

Osc

illat

or•

Tera

Tech

2009

, Asa

da G

roup

, TIT

, Jap

an–

Fund

amen

tal O

scia

lltio

n•

-8-d

Bm

@ 2

70-G

Hz

•-7

-dB

m @

470

-GH

z•

-30-

dBm

@ 8

31-G

Hz

–H

arm

onic

Osc

ialla

tion

over

1 T

Hz

86

Page 13: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

41

010

020

030

040

050

00510152025

HEM

THB

TCM

OS

SiG

eGain (dB)

Freq

uenc

y (G

Hz)

1/2

of m

ax f T

/f MA

X of

HE

MT/

HB

T~

1/2

of m

ax f T

/f MA

X of

Si/S

iGe

devi

ces

42

100

300

500

700

-50

-40

-30

-20

-10010

CMO

SSi

Ge

HEM

THB

TRT

DUT

CPD

Power (dBm)

Freq

uenc

y (G

Hz)

43

:•

III-V

HB

T–

Ampl

ifier

s up

to 3

00 G

Hz

–N

o re

cent

act

ivity

in M

MIC

s

•III

-V H

EM

T–

300~

400

GH

z ci

rcui

ts w

ith 5

0~30

-nm

HE

MTs

(fT

of ~

500

GH

z)

–Am

p., m

ixer

, fre

q m

ultip

lier,

osci

llato

r are

ava

ilabl

e

•Si

-CM

OS

–U

pto

150-

GH

z op

erat

ion

is a

vaila

ble

with

90~

65-n

m C

MO

S p

roce

ss(f T

of ~

270

GH

z)–

Amp.

, mix

er, f

req

mul

tiplie

r, os

cilla

tor a

re a

vaila

ble

•Si

Ge

HBT

–N

ot s

o m

any

repo

rts (m

aybe

due

to le

ss fo

undr

y co

mpa

ny?)

–U

pto

200-

GH

z op

erat

ion

wou

ld b

e O

K w

ith 1

30-n

m p

roce

ss44

•C

MO

S 30

0-G

Hz

MM

IC30

0-G

Hz

MM

ICs

with

CM

OS

in

a fe

w y

ear

–M

MIC

s w

orks

upt

o ar

ound

hal

f of c

ut-o

ff fre

quen

cies

of t

rans

isto

rs–

Cut

-off

frequ

ency

of S

i-CM

OS

will

exc

eed

600-

GH

z in

a fe

w y

ears

•B

ette

r effi

cien

cy fo

r bet

ter g

ain

and

outp

ut p

ower

–Ve

ry p

oor e

ffici

ency

of 1

% o

r les

s w

as p

rese

nted

in c

urre

nt w

orks

–1

%�

10 %

effi

cien

cy im

prov

emen

t cau

se 1

0-dB

impr

ovem

ent

–R

educ

ing

diel

ectri

c an

d co

nduc

tive

loss

es in

ICs.

87

Page 14: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

4546

On/

Off-

Chi

p A

nten

na•

On-

chip

ant

enna

�N

o in

terc

onne

ctio

n lo

ss b

etw

een

chip

and

ant

enna

�E

xpec

tabl

e m

atch

ing

perfo

rman

ce b

etw

een

chip

and

ant

enna

bas

ed

on 3

D-E

M s

imul

atio

nan

d st

able

fabr

icat

ion

�D

iffic

ult t

o en

hanc

e ra

diat

ion

effic

ienc

y du

e to

fixe

d su

bstra

te. E

g. S

i-C

MO

S�

Hig

her m

odes

in h

igh-

diel

ectri

c co

nsta

nt s

ubst

rate

(Si,

InP

, GaA

s)�

Lim

ited

chip

are

a ?

(but

, no-

big

prob

lem

in T

Hz

regi

on)

•O

ff-ch

ip a

nten

na�

Pos

sibl

e to

sel

ect o

ptim

um m

ater

ial f

or a

nten

na�

Ext

erna

l cav

ity (b

ut, t

oo s

mal

l to

fabr

icat

e at

300

GH

z. �

air/4

~250

um

)�

Inte

rcon

nect

ion/

trans

ition

loss

sho

uld

be m

inim

ized

bet

wee

n ch

ip a

nd

ante

nna

�M

aybe

bul

ky d

ue to

wav

egui

de-b

ased

stru

ctur

e

47

•R

adia

tion

effic

ienc

y–

Die

lect

ric lo

ssof

sub

stra

te s

uffe

r the

effi

cien

cy d

irect

ly–

Die

lect

ric c

onst

ant o

f sub

stra

te��

high

er s

ubst

rate

mod

e ��

effic

ienc

y ��

•G

ain

–Ex

tra c

avity

or r

efle

ctor

enh

ance

the

band

wid

th a

nd g

ain

–Ar

raye

d an

tenn

a•

Impr

ovin

g an

tenn

a di

rect

ivity

•Ad

ditio

nal g

ain

vs. A

dditi

onal

loss

from

feed

ing

netw

ork

•Fe

edin

g lin

e–

Mul

ti-le

vel s

ubst

rate

is d

iffic

ult t

o im

plem

ent i

n TH

z re

gion

due

to la

rge

indu

ctan

ce o

f VIA

stru

ctur

e–

Nee

d to

sup

pres

s hi

gher

mod

es in

feed

ing

line

48

On

Chi

p: T

aper

ed S

lot A

nten

na•

TMTT

1993

, Cha

lmer

s U

niv.

&N

AS

A, U

SA

–Ta

pere

d sl

ot a

nten

na o

n di

elec

tric

mem

bran

e fo

r 802

GH

z•

1.7-

um S

iO2/

Si3

N4

diel

ectri

c fil

m•

Dry

-etc

hing

of S

i-sub

stra

te–

13-d

B a

nd 5

0-%

of d

irect

ivity

and

radi

atio

n ef

ficie

ncy

–-1

0-dB

bea

mw

idth

~ 4

0o–

Long

er a

nten

na s

how

s na

rrow

er b

eam

~ 4

oof

3-d

B b

eam

wid

th

88

Page 15: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

49

On

Chi

p: T

aper

ed S

lot A

nten

na•

AP

EX

2009

, Asa

da G

roup

, TIT

, Jap

an–

405-

GH

z fu

ndam

enta

l osc

illat

or•

60-u

W o

utpu

t pow

er–

Full

rem

oval

of s

ubst

rate

usi

ng w

et e

tchi

ng•

20-u

m th

ick

subs

trate

und

er a

nten

na•

Air i

n sl

ot–

45o

and

40o

in E

/H p

lane

, res

pect

ivel

y•

8.6-

dBi d

irect

ivity

from

3D

EM

sim

ulat

ion

50

On

Chi

p: D

ipol

e A

nten

na w

ith R

efle

ctor

•TM

TT19

92, N

AS

A, U

SA

–D

oubl

e-di

pole

ant

enna

for 2

46 G

Hz

•on

1-u

m d

iele

ctric

mem

bran

e (4

x 4

mm

2 )•

Back

gro

und

refle

ctor

•12

~13-

dBi g

ain

at 2

46-G

Hz

–Ex

tern

al p

arab

olic

refle

ctor

•11

9-um

dia

met

er re

flect

or•

Tota

l mea

sure

d ga

in ~

37

dBi

dipo

le

mem

bran

e

GN

Dpl

anesp

acin

g

51

On

Chi

p: T

EM

Hor

n an

tenn

a•

AP

L200

8, C

NR

S, F

ranc

e–

Fabr

icat

ions

•Bo

ttom

gro

und �

inte

rlaye

r dep

ositi

on �

top

trian

gle

met

al fo

r ho

rn �

etch

ing

inte

rlaye

r �D

ryin

g w

ith C

O2

drie

r �lif

ting

up to

p m

etal

with

mic

rom

anip

ulat

or�

plac

ing

PTF

F w

edge

and

fixi

ng–

Broa

dban

d op

erat

ion

over

1 T

Hz

–EM

-bea

m d

irect

ion

chan

ges

with

freq

uenc

ies,

pro

babl

y du

e to

the

PTF

F w

edge

on

the

beam

pat

h

PTF

F w

edge

0.2

GH

z0.

5 G

Hz

1 G

Hz

52

On

Chi

p: S

lot-A

rray

Ant

enna

•IE

ICE

1999

, Kob

ayas

hi e

t al.,

ND

A, J

apan

–70

0-G

Hz

Slo

t arr

ay a

nten

na w

ith C

PW

feed

ing

•O

n Fu

sed

quar

tz (h

quar

tz=

500

um)

•8-

slot

ant

enna

: 11-

dBi g

ain

•8x

3 sl

ot a

nten

na: 1

3-dB

i gai

n

Si B

olom

eter

89

Page 16: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

53

On

Chi

p: A

nten

nas

on S

i-IC

s•

RFI

CS

2008

, Las

kin

et a

l.,–

Dip

ole

(tape

red

slot

??)

ant

enna

with

SiG

e pr

oces

s–

21-d

B lo

ss fr

om a

nten

na

•IS

SC

C20

08, K

.K.O

Gro

up–

Patc

h an

tenn

a fo

r 410

-GH

z–

20%

radi

atio

n ef

ficie

ncy

+ m

ater

ial l

oss

+ m

ism

atch

ing,

etc

RFI

CS

2008

, Las

kin

et a

l.,IS

SC

C20

08, K

.K.O

Gro

up54

Off

Chi

p: C

avity

-Bac

ked

Slo

t Ant

enna

•TM

TT20

06, I

BM

, US

A–

Chi

p sc

ale

pack

agin

g fo

r 60-

GH

z ra

dio

–Sl

ot a

nten

na o

n Q

uartz

with

opt

imiz

ed b

acke

d-ca

vity

•Ko

var a

lloy

for c

avity

-wal

l, w

hich

wor

ks a

s a

ante

nna

supp

ort

•O

ver 9

0% ra

diat

ion

effic

ienc

y•

8-dB

i ant

enna

gai

n, ~

10%

gai

n-ba

ndw

idth

•Su

ppre

ssed

sur

face

mod

es w

ith c

avity

–Fl

ip-c

hip

bond

ing

55

Off

Chi

p: M

etam

ater

ials

•TA

P20

07, U

nive

rsid

ad P

úblic

a de

Nav

arra

,Spa

in–

Dip

ole

ante

nna

on m

etam

ater

ial

•D

ipol

e on

Qua

rtz +

Si-m

etam

ater

ials

•W

ork

as a

bac

k-re

flect

or �

high

dire

ctiv

ity•

Supp

ress

par

asiti

c su

rface

wav

es•

a=0.

36 m

m, c

a=0.

62 m

m, d

1=d2

=0.1

55 m

m•

Silic

on w

oodp

ile: 5

per

iods

in v

ertic

al, 1

5-pe

riods

on

late

ral p

lan

56

�S

uppr

ess

the

amou

nt o

f unw

ante

d su

bstra

te m

odes

�C

ollim

atin

g E

M-w

ave �

enha

ncin

g di

rect

ivity

of a

nten

na

�S

patia

l alim

ent i

s cr

itica

l in

perfo

rman

ce�

Diff

icul

ty in

bon

ding

pro

cess

�N

o br

oadb

and

AR

coa

ting

for S

i-len

s

Si

SiO

2 GN

D p

lane

Sub

stra

tem

odesHem

isph

ere

Sili

con

Lens

Si

SiO

2

Si-L

ens

GN

D p

lane

90

Page 17: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

57

:•

10~1

4-dB

A

roun

d 10

~14-

dB a

nten

na g

ain

from

on-

chip

an

tenn

as–

Usi

ng m

icro

mac

hini

ng, a

rray

ed c

onfig

urat

ion

–R

adia

tion

effic

ienc

y is

issu

e as

wel

l, es

peci

ally

on

silic

on s

ubst

rate

•10

-dB

off-c

hip

ante

nna

offe

rs a

roun

d 10

-dB

gai

n, to

o–

But,

bette

r effi

cien

cy a

nd w

ider

ban

dwid

th d

ue to

opt

imiz

ed s

ubst

rate

an

d st

ruct

ure

•30

0-G

Hz

25-d

BFa

r aw

ay fr

om 2

5-dB

gai

n fo

r 300

-GH

z co

mm

unic

atio

n–

Extra

lens

or c

avity

to im

prov

e ga

in–

Shar

e of

gai

n lo

ad w

ith T

x (o

utpu

t pow

er) a

nd R

x (n

oise

figu

re)

58

59

•III

-V30

0-G

Hz

ICC

urre

nt s

tate

of a

rt III

-V d

evic

es p

rovi

de 3

00-G

Hz

ICs

–1-

THz

III-V

dev

ices

is te

chni

cally

feas

ible

.–

But,

diffi

cult

to a

cces

s th

ese

tech

nolo

gy d

ue to

few

pr

ovid

er•

CM

OS

600-

GH

z C

MO

S w

ill re

ach

over

600

-GH

z in

nea

r fut

ure

–Ea

sy to

acc

ess

–Bu

t, lim

ited

perfo

rman

ce o

f RF-

pow

er a

nd n

oise

figu

re• Fu

rther

impr

ovem

ent o

n an

tenn

a is

nec

essa

ry–

Not

e th

at a

nten

na h

as v

ery

long

rese

arch

his

tory

eve

n in

Te

rahe

rtz re

gion

�te

chni

cal l

imita

tion?

–Sh

are

of s

yste

m b

udge

t loa

d w

ith T

/Rx

60

•1-

mW

Out

put p

ower

in T

x–

HB

Ts o

ffer m

ore

than

1-m

W o

utpu

t pow

er a

t 324

GH

z–

It is

stil

l cha

lleng

ing

wor

k fo

r man

y ot

her d

evic

es (2

00~5

00-u

W)

–Fa

ster

dev

ices

�lo

wer

bre

akdo

wn �

low

er o

utpu

t pow

er

–Bu

t, 1-

mW

look

s no

t so

far,

if w

e ca

n im

prov

e th

e ef

ficie

ncy

just

a li

ttle

•15

-dB

Noi

se fi

gure

of R

x–

HE

MT

ampl

ifier

with

7.5

-dB

NF

at 2

70 G

Hz

–Fa

ster

dev

ices

�hi

gher

gai

n at

300

GH

z �

low

er N

F–

5-dB

or l

ess

NF

is a

chie

vabl

e ?!

•25

-dB

i Ant

enna

–Ap

prox

imat

ely

10~1

4-dB

ant

enna

gai

n w

ith p

lana

r on-

chip

ant

enna

.–

It lo

oks

uppe

r bou

ndar

y, a

nd e

ven

we

need

com

plic

ated

tech

nolo

gies

su

ch a

s a

mic

rom

achi

ning

or a

rray

ed a

nten

na–

Pack

agin

g is

sue:

hor

n-an

tenn

a, le

ns, a

nd c

avity

•!!!

91

Page 18: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

61

Die

lect

ric L

oss

in S

ubst

rate

Subs

trat

e r

Tang

enta

l Los

s

Silic

on12

.0~1

2.7

0.02

@ 1

0 G

Hz

GaA

s13

.00.

0016

@ 1

0 G

Hz

Alu

min

a9.

6~9.

90.

0003

@ 1

0 G

Hz

Fuse

d S

ilica

(Gla

ss)

3.8

0.00

02 @

10

GH

z

Fuse

d Q

uartz

3.8

0.00

01 @

10

GH

z

92

Page 19: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

4-2-2 ミリ波帯のアダプティブアレイアンテナシステムの動向

講演概要

○ミリ波帯やテラヘルツ波帯では、アンテナと送受信半導体素子との間での導波損が大き

くなるため、アンテナ、送受信半導体素子、パッケージは一体として考える必要がある。

また、波長が短く直進性が強いため見通し(LOS: Line of Sight)での通信となること

や、大きな大気吸収があることから、アンテナからのビームはほとんどの場合、絞るこ

ととなる。このような状況に適したアンテナは、アダプティブ・アレイ・アンテナ(AAA:

Adaptive Array Antenna)である。AAAの主な機能は、ビームフォーミング、ビームスキ

ャン、干渉回避である。ビームフォーミングでは、目標を発見し目標にビームを集中さ

せ空間伝搬ロスを軽減し、また空間分解能を上げて多重干渉を防ぐ機能がある。ビーム

スキャンでは、目標を発見し遮蔽問題に対応する機能がある。

○ミリ波帯やテラヘルツ波帯では、電波の直進性が強く空間伝搬ロスが大きいため遮蔽に

弱いが、アンテナのアダプティブ化・アレイ化によって問題を解決できる可能性がある。

さらに弱点として、デバイスの出力が小さく雑音も大きい点や回路・実装上の問題とし

て回路上の伝搬ロスも大きい点が挙げられるが、これらもアンテナと回路の一体化・集

積化、ベースバンドとの一体化によって解決できる可能性が大きい。

○AAAの基本構成にはRF phase shifter array、IF phase shifter array、Digital beamforming

等がある。それぞれに特徴があり、どれを選択するかはデバイス技術や応用目的次第で

ある。

○高利得のAAAを構成するには、アレイ数を大きくする必要がある。ミリ波帯(60GHz)に

おいては、SiBeam社のWirelessHDの装置に52素子アレイが使われている例があるが、AAA

チップは2cm×2cm程度の大きさがあり、携帯機器に実装するには大き過ぎる。もし300GHz

帯で同じ機能を実現できるとしたら、AAAチップは周波数比分(波長比分)だけ小さくで

きるため、約4mm×4mm程度の大きさにできるであろう。このような小型化が可能な点は、

ミリ波帯に対してテラヘルツ波帯が有利な点と言ってよい。

○ミリ波帯やテラヘルツ波帯を用いた超高速無線通信システムは大きな可能性を秘めてお

り今後期待できるものであると考えられているが、超高速無線通信システムを実現する

上でAAAは必須のデバイスである。SiCMOSの超高速化が新たなAAA技術に可能性をもたら

してくれると考えられるが、多くの課題(構成、プロセス、デバイス作成、モジュール

化、パッケージング、ベースバンドとの一体化など)がまだ残っている。

質疑応答

○アンテナロスの問題は、そのままテラヘルツにもっていくのはまだしばらく距離がある

ように感じた。SiBEAMのアンテナは基本構成の中で最もシンプルなものだと思うが、こ

れはあまり公表されていないのではないか。

(テーマ)ミリ波帯のアダプティブアレイアンテナシステムの動向

(講 師)独立行政法人 情報通信研究機構

新世代ワイヤレス研究センター 李 可人 主任研究員

93

Page 20: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

→写真を見たことがあるが、確かにオーソドックスな構成だと思う。実際の中身を見た

ことがないので断言はできないがオーソドックスなもので、逆にそれでもできたのは

すばらしいと思う。

○それがシリコンテクノロジーでできているということか。

→そのとおり。ベースバンドの方も、実際にはまだインテグレーションしてないが、ボ

ードにさして使えるようになっていて、手をかざしても映像が遮断されない。

○テラヘルツになるとミリ波よりアンテナロスが大きくなると思う。360度有効なフェーズ

シフターを作ろうとすると、今のミリ波でも10dbのロスがあるのが問題だとおっしゃっ

たが、もう少し詳しく説明してほしい。

→60GHzに対してフェイズシフトすると、ロスは大きい。ただし、アダプティブアンテナ

の基本的構成の段階ですべて60GHzで構成する必要はない。例えばIFやローカルで構

成すれば、必ずしも難しくはないだろう。

→フェーズシフターの話でいうと、導波路をどのような構成にするかというのが重要な

ポイント。誘電体導波路やフォトニックバンドギャップの導波路等の可能性が見えて

くる。

94

Page 21: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Tit

le o

f T

his

Tal

k

ミリ波アダプティブアレイアンテナの動向

李 可人 (Keren LI)

(独) 情報通信研究機構 (NiCT)

新世代ワイヤレス研究センター

[email protected]

テラヘルツ波帯の情報通信利用に関する調査検討会

近畿総合通信局 2010年2月

2日

1

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Outl

ine

of

This

Tal

k

I. II.

III.

ミリ波とミリ波無線通信システム

ミリ波アダプティブアレイアンテナの基礎

その最近動向

2

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

What’s Adaptive Array Antenna?

3

アダプティブ・アレイ・アンテナ

Adaptive Array Antenna

 適応的   配列型 アンテナ

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

アダプティブアンテナの特徴

4

例:1次元アレイ(Linear Phased Array)

95

Page 22: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

アダプティブアンテナの機能

アダプティブアンテナの主要機能

1.ビームフォーミング(Beam-forming)機能

  目標発見、目標に集中、空間分解能を増加

2.ビームスキャン(Beam-steering)機能

 目標発見、機械回転、位相制御の両方で可能

3.干渉を回避する(Null-point形成)機能

5

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

ミリ波アダプティブアンテナ

ミリ波アダプティブアンテナの主要機能

 1.ビームフォーミング(Beam-forming)機能

 2.ビームスキャン(Beam-steering)機能

ミリ波無線通信システムにおける

   ミリ波アダプティブアンテナの役割

 1.ビームフォーミング(Beam-forming)機能

    空間伝搬ロスを軽減、多重干渉を防ぐ

 2.ビームスキャン(Beam-steering)機能

    ミリ波遮蔽問題への対応、ユーザ探知

6

本日の講演テーマ:

    ミリ波アダプティブアンテナ

 -- ミリ波無線通信への応用をメインに --

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

About

Mil

lim

eter

Wav

e

ミリ波及び

近年のミリ波無線システム

7

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

What

’s M

illi

met

er-w

ave

?

ミリ波= Millimeter Wave (MMW)

波 長= 10mmから1mm (0.1mm)

(ミリ波の名前の由来, 0.1mm以下の波はサブ

ミリ波と呼ぶ)

周波数= 30GHzから3000GHz

比較に、普通の携帯電話に使用されている電波は:

周波数= 0.7GHzから2GHz

ミリ波・サブミリ波の定義�

8

96

Page 23: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Curr

ent

Fre

quen

cy U

sage

9

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

What

’s M

MW

Wir

eles

s S

yst

em?

MMW Wireless System = ミリ波

を使った近距離の無線通信システム。

小型、高速・大容量が可能な無線シス

テムとして、近年注目を浴びています。

ミリ波は、高い周波数を持つ電波として、特に

Remote Sensingや大容量中継通信によく用いら

れ、更に電波天文学から軍事利用まで、広く利用

されています。ミリ波についての研究は、100年

も前から既になされています。�

10

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

ミリ波の特徴(60GHz帯

を例に)

周波数が高い (30GHz~300GHz, 3000GHz)

  周波数が高い分、高速通信の潜在能力あり。

波長が短い (10mm~1mm, 0.1mm)

  通信機器、特にアンテナの小型・軽量化が可能。

例:衝突防止ミリ波車載レーダ

利用可能な帯域が広い

  ミリ波では、周波数資源が豊富にあります。

例:日本での免許不要の60GHz帯ミリ波は59 ~

66GHzの7GHz帯域が利用可能。一方、普及されてい

る無線ランなどは数MHzから数十MHz程度。

直進性が強く、空間伝搬ロスが大きい

  無線通信としては、不利。しかし、相互干渉が少

ない、秘密性がよいなどの利点もあります。

例:近距離通信、室内高速無線

11

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Why M

MW

Wir

eles

s S

yst

em?

周波数資源の逼迫 = 低いマイクロ波周波数は、

近年携帯電話や無線LANの普及に伴い、その

周波数資源が年々足りなくなっています。

超高速無線通信への要求 = 無線や移動通信

においても、光ファイバを使った有線通信に匹

敵する高速通信の必要性が高まっています。

例:Wireless HDTV=2~4Gbps(非圧縮伝送)

小型、秘密性などの要望 = ミリ波の特徴に由

来します。

12

97

Page 24: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Un

lice

nse

d-6

0G

Hz-

Ban

d a

nd

IE

EE

mm

WP

AN

IEE

E S

tandar

d W

ork

ing G

roup f

or

mm

WPA

N:

802.1

5.3

c htt

p:/

/ww

w.i

eee8

02.o

rg/1

5/p

ub/T

G3c.

htm

l

mm

WPA

N:

Mil

lim

eter

-wav

e W

irel

ess

Per

sonal

Net

work

13

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

(O

ffic

e)

14

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

ミリ波無線システムの商用化ニュース

15

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

ミリ波アダプティブアンテナ

その最近動向

16

98

Page 25: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

ミリ波の特徴 再び

直進性が強く、空間伝搬ロスが大きい

遮蔽に弱い。アンテナ利得なしで、

  空間伝搬ロス:68dB@1m(60GHz)

デバイス性能の制限

出力パワーが低い。雑音が多い。

回路・実装技術の制限

回路による伝搬ロスも大きく、

 また、実装による影響を強く受ける。

17

ミリ波の弱点をメインに

アンテナの�

アレイ化

アダプティブ化

アンテナと

回路との

一体化�

集積化

+ベースバンド

可能な解決法

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

1

8

��

B

NIC

T

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

近年のミリ波アダプティブアンテナ

近年のミリ波 Si CMOSのめざましい進展により

  Si CMOSがミリ波帯域での動作が可能に

  べースバンドとの一体化も視野に

システムと一体化した

ミリ波アダプティブアンテナのモジュール化・チップ化

が可能に

 1.ビームフォーミング(Beam-forming)機能

 2.ビームスキャン(Beam-steering)機能

19

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

2

0

Ad

van

tag

e: l

ess

po

wer

co

nsu

mp

tio

n,

Dis

adv

anta

ges

: fu

ll-a

ng

le s

wit

chab

le p

has

e sh

ifte

r w

ith

sm

all

del

ay a

nd

lo

ss i

n 6

0G

Hz

is n

ot

avai

lab

le i

n t

he

mar

ket

, w

hat

’s

mo

re,

qu

ite

big

ch

alle

ng

ing

to

im

ple

men

t.

RF

ph

ase

shif

ter

arra

y

99

Page 26: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

2

1

IF p

has

e sh

ifte

r ar

ray

Incr

ease

the

area

, re

duce

the

requir

emen

ts i

n R

F s

ide

Usi

ng p

has

e sh

ifte

r to

red

uce

the

phas

e sh

ifte

r lo

ss i

n t

he

signal

pat

h

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

2

2

Dig

ital

bea

mfo

rmin

g

DS

P

Ph

ase

shif

ter,

al

go

rith

m

DS

P

Ph

ase

shif

ter,

al

go

rith

m

Advan

tage:

Les

s co

mple

xit

y i

n t

he

RF

fro

nt

end t

rade

of

by h

igh p

ow

er c

onsu

mpti

on

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

2

3

10-1

00 m

Ber

kel

ey W

irel

ess

Res

earc

h C

ente

r

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Wir

eles

sHD

2

4

100

Page 27: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Si

(SiG

e)

(IB

M)

25

-10

2d

Bc/

Hz

@ 1

MH

z

58

59

60

61

62

63

64

65

0 2 4 6 8 10

12

14

16

18

20

Fre

quen

cy (

GH

z)

dB

NF

Gai

n

I cc

= 6

mA

Vcc

= 1

.8 V

NF

(a

t 6

0G

Hz)

= 3

.3-3

.7 d

B

NF

(a

t 6

3 G

Hz)

=4

.2-4

.6 d

B

Mea

n N

F =

3.7

dB

• �V

CO

Mea

s’d

per

form

an

ce

• �-1

02

dB

c/H

z @

1M

Hz

• �8m

A a

t 3

V

• �Pou

t -1

1 d

Bm

Ou

tpu

t S

pec

tru

m /

Ph

ase

No

ise

��

Fir

st G

ilb

ert-

cell

mix

ers

at

60 G

Hz.

��

Hig

hes

t in

tegra

tion

lev

el f

or

an

y t

ech

nolo

gy a

t 60 G

Hz.

��

80

tra

nsi

sto

rs

��

43

tra

nsm

issi

on

lin

es o

r in

du

cto

rs

��

Mea

s’d

per

form

an

ce c

om

para

ble

or

exce

edin

g G

aA

s

��

NF

(<

15

dB

),

��

con

ver

sio

n g

ain

(>

16

dB

),

��

Vcc

=

2.7

V

��

po

wer

(1

50

mW

“co

re”

)

Low

Nois

e A

mp

lifi

er

Volt

age

Con

troll

ed O

scil

lato

r D

irec

t C

on

ver

sion

Mix

er

��G

ain

=

10

.8 d

B

��P

1 d

B =

11

.2 d

Bm

��P

sat

= 1

6.2

dB

m

��13

0 m

A a

t 2

.5V

Pow

er A

mp

lifi

er

ISS

CC

2004

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

2

6

IEE

E802.1

5-0

5/1

25r0

: 15-0

5-0

124-0

0-0

03c-

mm

-wav

e-bea

mfo

rmin

g

F.

Mo

ham

adi,

“W

afer

Sca

le I

nte

gra

tio

n,”

RF

Des

ign

, F

ebru

ary

20

05

, p

p 4

8-6

2

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

2

7

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Mult

i-se

ctio

n S

elec

tion C

ircu

its

28

(a)

3-D

vie

w (

b)

each

pai

red

-ele

men

t p

atch

an

ten

na

on

an

iso

scel

es-t

rian

gu

lar

pla

te.

P.

F.

M.

Sm

uld

ers,

M.

H. A

. J

. H

erb

en,

J. G

eorg

e, “

Ap

pli

cati

on

of

five

-sec

tor

bea

m a

nte

nn

a f

or

60

GH

z w

irel

ess

LA

N,”

htt

p:/

/ww

w.b

rab

an

tbre

edb

an

d.n

l

Y.

Mu

raka

mi,

T.

Kij

ima

, H

. Iw

asa

ki,

T.

Iha

ra,

T.

Ma

na

be

an

d K

. L

igu

sa,

“A

sw

itch

ab

le m

ult

i-se

cto

r a

nte

nn

a f

or

ind

oo

r

wir

eles

s L

AN

sys

tem

s in

th

e 6

0G

Hz

Ba

nd

”,

IEE

E T

ran

s. M

icro

. T

heo

ry T

ech

., 1

99

8,

MT

T-

46

, p

p.

84

1-8

43

.

• �Pro

po

sed

by

To

shib

a C

o.,

to

co

ver

th

e 3

60

º o

f A

zim

uth

pla

ne

in 1

99

8

• �th

e m

inim

um

gai

n o

f 5

.4d

Bi

and

les

s th

an 2

.5d

B a

xia

l ra

tio

at

freq

uen

cy 5

9 –

60

GH

z. 2

dB

gai

n d

iffe

ren

ce

bet

wee

n s

imu

lati

on

an

d f

abri

cati

on

.

• �Lo

ss c

ause

d b

y M

S i

s 0

.3d

B (

su

bst

rate

PT

FE

, r=

2.2

, h

=0

.12

7m

m,

elem

ent

spac

e 0

.55

@ 5

9.5

GH

z)

• �sw

itch

is

real

ized

by

on

an

d o

ff s

tatu

s o

f am

pli

fier

101

Page 28: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Cir

cula

r-P

ol

Mic

rost

rip-H

orn

Ante

nna

29

• �4 e

lem

ent

bea

m s

teer

ing

an

ten

na

wit

h r

igh

t-h

and

ed c

ircu

lar

po

lari

zati

on

 at

61

GH

z is

rea

lize

d w

ith

th

e 1

4d

Bi

dir

ecti

vit

y, 7

dB

i g

ain

an

d -

10

to

10

deg

ree

stee

rin

g r

ang

e.

• � ce

ram

ic s

ub

stra

te w

ith

er=

10

• � th

e fo

ur

pat

ches

wit

h t

run

cate

d-c

orn

ers

are

des

ign

ed f

or

the

RH

CP

• �th

e 9

0 p

has

e sh

ifte

r is

mad

e b

y t

wo

SP

DT

sw

itch

es a

nd

tw

o m

icro

stri

p-l

ines

.

• �Th

e ra

dia

tio

n o

f th

e p

has

e sh

ifte

rs a

nd

mic

rost

rip

lin

es i

s sh

ield

ed b

y a

met

alli

c co

ver

to

av

oid

mu

tual

cou

pli

ng

s.

• � It

was

als

o r

epo

rted

th

at t

he

ho

rn c

ou

ld i

ncr

ease

8d

B g

ain

in

th

e m

ain

bea

m d

irec

tio

n a

nd

th

e tr

ansm

issi

on

loss

of

go

ld m

icro

stri

p l

ine

on

cer

amic

s w

as 0

.57

dB

/cm

at

61

GH

z

• �th

e 6

1G

Hz

swit

ches

fro

m N

ort

hro

p G

rum

man

Sp

ace

Tec

hn

olo

gy

wit

h w

ire

bo

nd

ing

mea

sure

d l

oss

was

3d

B.

• � th

e S

DH

12

6 i

s 5

5-6

2G

Hz

SP

DT

sw

itch

fo

un

d f

rom

No

rth

rop

Gru

mm

an.

K.

C.

Hu

an

g a

nd

Z.

C.

Wa

ng

, “

Mil

lim

eter

-wa

ve c

ircu

lar

po

lari

zed

bea

m-

stee

rin

g a

nte

nn

a a

rra

y fo

r G

iga

bit

wir

eles

s co

mm

un

ica

tio

ns,

” I

EE

E T

ran

s.

An

ten

na

s &

Pro

pa

g.

vol.

54

, n

o.

2,

Feb

. 2

00

6,

pp

. 7

43

- 7

46

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Lea

ky W

ave

Bea

m-s

teer

ing A

nte

nna

30

The

slow

-wav

e su

pport

ed g

rati

ng a

nte

nna

could

be

the

candid

ate

for

the

low

-cost

mil

lim

eter

-wav

e bea

m-s

teer

ing a

nte

nna

wit

h c

han

gin

g t

he

spac

e of

each

gra

ting s

pac

e.

A ±

50º

bea

m s

teer

ing a

t 40G

Hz

was

rea

lize

d

by c

han

gin

g t

he

slot

spac

e w

ith p

hysi

call

y

roll

ing u

p a

nd d

ow

n o

f par

t c.

It

was

indic

ated

in t

he

pap

er t

hat

this

met

hod c

ould

be

exte

nded

to 1

20G

Hz

mil

lim

eter

wav

e ap

pli

cati

on. T

he

mea

sure

d g

ain c

ould

be

reac

hed

to 1

8dB

i in

consi

der

ed b

and 3

5-4

0G

Hz.

How

ever

, it

is

not

imple

men

ted b

y e

lect

ronic

contr

oll

ing

C. T

. R

od

enb

eck

, M

. L

i an

d K

. C

han

g,

“Des

ign

an

d a

nal

ysi

s o

f a

reco

nfi

gu

rab

le d

ual

-

bea

m g

rati

ng

an

ten

na

for

low

-co

st m

illi

met

er-w

ave

bea

m-s

teer

ing

”, I

EE

E T

ran

s. o

n

An

ten

na

& P

rop

ag.,

vo

l. 5

2,

no

. 4

, p

p.

99

9-1

00

6, A

pri

l 2

00

4

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Blo

ck B

ased

Ante

nna

31

(a)

(b)

(

c)

(d

)

(e)

Phas

e sh

ifte

r par

t w

as d

esig

ned

and i

nte

gra

ted i

n C

MO

S c

hip

Phas

e sh

ifte

r w

as r

eali

zed b

y v

ecto

r m

odula

tion m

ethod t

o f

ulf

ill

8 p

has

es 4

one

step

Po

wer

div

ider

Ph

ase

sele

cto

r ci

rcu

it

S.

H. A

lalu

si,

“A

60

GH

z A

da

pti

ve A

nte

nn

a A

rra

y in

CM

OS

”,

Ph

.D t

hes

is

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Dig

ital

Bea

m F

orm

ing

32

• �A 6

0G

Hz

inte

gra

ted f

our-

elem

ent

pla

nar

ante

nna

arra

y w

ith

dig

ital

form

ing

• �The

syst

em i

s re

aliz

ed b

y 6

0G

Hz

four

pla

nar

pat

ches

wit

h

seco

nd h

arm

onic

of

I/Q

mix

ers

@ 2

9.6

5G

Hz,

com

bin

ing w

ith

the

IF m

ixer

and a

mpli

fier

, A/D

and d

igit

al b

eam

form

ing

pro

cess

ing.

• �The

syst

em t

ransm

issi

on l

oss

in R

F l

ines

and c

om

ponen

ts i

s

less

than

16dB

.

• �Sub-m

ixer

cam

e fr

om

GaA

s bea

m l

ead s

chott

ky b

arri

er

(HS

CH

-925)

• � P

atch

ante

nnas

are

fab

rica

ted o

n D

uro

id 5

880 e

r=9.8

,

h=

0.1

27m

m, 1.7

GH

z fr

equen

cy b

andw

idth

• � R

F f

ront

end c

onver

sion l

oss

is

from

10-1

6dB

• � IF

conver

sion l

oss

is

around 1

0.6

dB

• � T

he

gro

up a

lso d

id s

om

e ex

tensi

on w

ork

for

sub-

ban

d s

ampli

ng t

o r

eali

ze 5

00M

bps/

s sy

stem

usi

ng

20M

Hz

sam

pli

ng r

ate

DS

P

I. P

ark

, Y.

Wa

ng

, T.

Ito

h,

“A

60

GH

z in

teg

rate

d a

nte

nn

a a

rra

y fo

r h

igh

-sp

eed

dig

ita

l b

eam

form

ing

ap

pli

cati

on

s,”

htt

p:/

/ww

w.

Mw

lab

.ee.

ucl

a.e

du

.

102

Page 29: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Dig

ital

Bea

m F

orm

ing-2

3

3

I. P

ark

, Y.

Wa

ng

, T.

Ito

h,

“A

60

GH

z in

teg

rate

d a

nte

nn

a a

rra

y fo

r h

igh

-sp

eed

dig

ita

l b

eam

form

ing

ap

pli

cati

on

s,”

htt

p:/

/ww

w.

Mw

lab

.ee.

ucl

a.e

du

. Th

e o

utp

ut

sig

nal

is

com

bin

ed b

y:

The

dig

ital

osc

illo

scope

of

sam

pli

ng r

ate

200M

S/s

is

use

d a

s A

/D, I/

Q b

aseb

and

5M

Hz

ban

dw

idth

, M

atla

b s

imula

tor

is f

unct

ioned

as

dig

ital

pro

cess

or

her

e, t

he

final

des

igned

syst

em c

an r

eali

zed -

25°t

o 2

bea

m s

cannin

g

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Full

-Inte

gra

ted P

has

ed A

rray

on S

icon

34

A f

ull

y i

nte

gra

ted

24

-GH

z ei

gh

t-el

emen

t p

has

ed-a

rray

rec

eiv

er i

n s

ilic

on

wit

h L

O p

ath

Th

e p

has

e sh

ifte

r is

wo

rkin

g o

n s

atu

rati

on

co

nd

itio

n t

o e

nsu

re t

he

gai

n o

f ea

ch e

lem

ent

do

esn

’t v

ary

so

mu

ch w

ith

ph

ase

,

Th

e ad

dit

ion

al a

dv

anta

ge

is t

o r

edu

ce t

he

req

uir

emen

ts o

f p

has

e sh

ifte

rs l

inea

rity

, n

ois

e fi

gu

re a

nd

ban

dw

idth

.

Th

e p

has

e sh

ifte

r w

ith

4 b

its

solu

tio

n w

as r

eali

zed

an

d t

he

wh

ole

sy

stem

per

form

ance

wit

h 6

1d

B g

ain

of

8 p

ath

s

and

46

dB

gai

n i

n o

ne

sin

gle

pat

h a

s w

ell.

Th

e p

has

e sh

ifte

r w

as d

esig

ned

as

the

rou

nd

8 a

mp

lifi

er,

wit

h t

he

step

22

.5 d

egre

e, w

hic

h w

as r

eali

zed

by

var

iab

le L

C d

eter

min

ed b

y t

he

form

ula

e

H.

Ha

shem

i, X

. G

ua

n, A

. K

om

ija

ni,

A.

Ha

jim

iri,

“A

24

-GH

z S

iGe

ph

ase

d-a

rra

y re

ceiv

er-

LO

ph

ase

-sh

ifti

ng

ap

pro

ach

”,

IEE

E T

ran

s.

MT

T,

vol.

53

, n

o.

2,

pp

61

4 –

62

6,

Feb

. 2

00

5.

NNati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

35

35

A.

Ba

ba

kh

an

i et

al.

, “

A 7

7G

Hz

4-E

lem

ent

Ph

ase

d A

rra

y R

ecei

ver

wit

h O

n-C

hip

Dip

ole

An

ten

na

s,”

IS

SC

C 2

00

6.

�� F

ull

y-i

nte

gra

ted 4

-ele

men

t 77G

Hz

phas

ed-a

rray

tra

nsc

eiver

on

�� T

wo-s

tage

freq

uen

cy t

ransl

atio

n. (L

O1:

52G

Hz,

clock

fre

quen

cy 5

0M

Hz,

IF

=L

O2:

26G

Hz)

�� L

oca

l phas

e sh

ifti

ng i

n e

ach e

lem

ent

enab

les

bea

m s

teer

ing.

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

52G

Hz

Phas

e R

ota

tor

36

�� Q

uad

ratu

re s

ignal

gen

erat

ed l

oca

lly u

sing a

del

ay

�� P

has

e-sh

ifte

r re

solu

tion l

imit

ed b

y D

AC

res

olu

tion

103

Page 30: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

77G

Hz

On-C

hip

Len

s P

has

ed A

rray

3

7

A.

Ba

ba

kh

an

i, X

. G

ua

ng

, A.

Ko

mij

ina

i, A

. N

ata

raja

n a

nd

A.

Ha

jim

iri,

“ A

77

-GH

z P

ha

se-a

rra

y t

ran

scei

ver

wit

h o

n-c

hip

An

ten

na

in

sil

ico

n:

rece

iver

an

d a

nte

nn

a”

, IE

EE

J.

So

lid

Sta

te,

no

l.4

1,

no

. 1

2,

Dec

. 2

00

6

�� S

ilic

on c

hip

is

thin

ned

dow

n t

o 1

00μ

m, fl

oor

pla

n i

ssues

lea

d t

o e

dge

ante

nnas

�� A

500μ

m s

ilic

on w

afer

for

mec

han

ical

sta

bil

ity

�� L

ow

fre

quen

cy s

ignal

s usi

ng w

ire-

bond a

nd b

oar

d t

race

s

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

WP

AN

(NIC

T) �

Mea

sure

d P

erfo

rman

ces

-40

-30

-20

-100

5055

6065

70

Return Loss |S11| (dB)

Freq

uenc

y (G

Hz)

> 1

4 G

Hz

-505

10

15

50

55

60

65

70

Antenna Gain (dBi)

Fre

quen

cy (

GH

z)

Ret

urn

Lo

ss

Gai

n

Rad

iati

on

Pat

tern

R

adia

tio

n P

atte

rn

��

38

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Photo

of

Dev

eloped

Ante

nna

Rad

iati

on

elem

ents

39

Ker

en L

i, T

om

oak

i S

ato

, an

d N

aok

i K

ajit

ani,

"W

ideb

and

Pla

nar

An

ten

nas

fo

r M

illi

met

er-W

ave

Wir

eles

s C

om

mu

nic

atio

ns,

" 2

00

8

IEE

E A

P-S

In

tern

atio

nal

Sy

mp

osi

um

on

An

ten

nas

an

d P

rop

agat

ion

an

d 2

00

8 U

SN

C/U

RS

I N

atio

nal

Rad

io S

cien

ce M

eeti

ng

,

Ses

sio

n:

Wid

eban

d M

icro

stri

p P

atch

An

ten

nas

, n

o.

50

5-2

, S

an D

ieg

o,

Cal

ifo

rnia

, U

SA

, Ju

ly 5

-12

, 2

00

8. �

Nati

on

al In

sti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

ミリ波を使った高速無線通信システムは、高速・大容量

の可能性をひめている。

ミリ波アダプティブアレイアンテナは、ミリ波高速無線

システムを実現する上での重要なデバイスである。

ミリ波Siデバイス及びその集積化技術がミリ波アダプ

ティブアレイアンテナに新たな可能性をもたらしている。

新しいミリ波アダプティブアレイアンテナ(構成・プロ

セス・デバイス作成・モジュール化・パッケージング・

ベースバンドとの一体化など)の課題がまだ沢山残って

いる。

40

104

Page 31: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

Nati

on

al

Insti

tute

of

Info

rm

ati

on

an

d C

om

mu

nic

ati

on

s T

ech

no

log

y

Dr.

KE

RE

N L

I

Than

ks

Sp

ecia

l T

ha

nk

s to

Dr.

Jin

g G

ao, D

r. H

irosh

i H

ara

da, N

iCT

ご静聴、ありがとうございました。

独立行政法人 情報通信研究機構

新世代ワイヤレス研究センター 

主任研究員 李 可人 [email protected]

41

105

Page 32: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

4-2-3 要素技術の課題

講演概要

テラヘルツ無線の利用シーンを実現するためには、今後、要素技術ごとにどのような技

術課題を克服していく必要があるのか、表4-2-3に示すような整理を行った。

表4-2-3 要素技術ごとの克服すべき技術課題

(テーマ)テラヘルツ無線の利用シーンを実現するための技術課題と研究開発戦略

(講 師)大阪大学

レーザーエネルギー学研究センター 斗内 政吉 教授

発生器

1) フォトミキサー: UTC - PD の最適化。光導波路一体型 2) 波長 可変 LD との融合・ 集積 一体型。 3) 全電気回路: InP 系発信器 Si CMOS への展開。 4) その他: RTD の高出力化、 THz - QCL の低周波数 /

室温 / 低閾値動作

短距離通信では、 フォトミキシング技術 による先行が重要

検出器

現状では、 GaAs ショットキー ダイ オード のみ が 利 用可能。 海外の 製品が先行

1) ショットキーダイオードの高性能化(エアブリッジ、ナノコン タクト、材料探索など)。 国産 技術の育成。

2) 新規検出器の開発: RTD 、 QCL 、 UTC - PD の利用検討。 検波手法の最適化。室温単電子デバイスなど。

3) 新検出手法の探索。光の利用 など 。

アンテナ・ ビーム 制御

技術

1) アンテナのスケーリングと表面インピーダンス等の非線形 の検討。

2) MEMS の 利用 。 超小型立体アンテナ 3) メタマテリアルとの融合:増幅効果 など 。 4) アンテナ の アレー化 5) 超小型立体アンテナ 他

フィルタ・ 変調器

1) フィルター開発:メタルメッシュフィルター。誘電体フィル ター。 SPP を利用したフィルター・パス制御。

2) 変調器:誘電体変調器。材料開発。メタマテリアル 利用。 3) 反射板等:材料開発。メタマテリアル の応用 。

周辺回路技術

1) 高速光変調器 の開発。 2) 超高速・大容量メモリ の開発(バスの高速化)。 3) アンテナ一体型 集積 回路 の開発。 4) 低損失 TH z 波 伝送ファイバ の開発

方式検討 ( 周波数有効利用 )

1) OFDM 技術の利用。 20G × 10 バンド(200 Gbps )など

2) 多値変調技術の導入。

要素技術 技術課題 備考

周波数割当に 影響

計測・ 標準 1) 研究開発のための測定機器開発。 2) 光コムの利用 。 ( 例) テラヘルツシンセサイザ 3) EMC ・データベース整備 。

公的機関の研究 強化 が必要

その他 1) 新規 テラヘルツ電子材料 / デバイスの 開発 。

(ブレークスルー技術の継続的な開発) 2) 非接触電力供給技術 の開発。

1) は大学の役割と して重要

電力供給もアンテ ナで行うと用途が

拡大

106

Page 33: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

意見等

○今日紹介いただいた中には、新しいデバイス技術が含まれている(MEMSやメタマテリア

ル等)。これまでテラヘルツとは関係なく出てきた技術が、テラヘルツと相性のよいモ

ノになってきているという印象を受ける。テラヘルツを開拓するに当たって、それを支

える新技術が出ているというのが、テラヘルツの応用を支えるだろうと予感させる。そ

うは言っても、どれくらいの性能が必要なのかということを、さらに深掘りしていきた

い。そこまで検討すれば、その技術がより意義あるものになる。

○このような研究開発は産官学が進めていくべきものだと感じる。特にアロケーションを

とっていない周波数(275GHz以上)を狙っていくときに、どのような役割分担で提案し

ていくのか考える必要があると感じた。

○今、ミリ波帯等の研究者の中で大きな課題となっているものに、標準器の問題がある。

実は60GHzでも標準になっているモノはないと聞いている。それではトレーサビリティが

とれないので、このあたりの高い周波数を使うためには計測器とともに標準器も検討し

ていかないといけないと感じている。

107

Page 34: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

4-3 テラヘルツ無線の研究開発事例

100GHz~500GHz帯の電波を無線通信に利用しようとする試みは、海外を眺めてもまだ多

くの事例はなく、本格的な検討が始まったのは平成12年ごろからである。理論的な議論と

しては、Mannによる図4-3-1に示すような、60GHz無線と400GHz無線の伝送距離の比較が

興味深い[1](注釈を後述。以下同じ。)。両者の大気減衰は、25mm/hの降雨を想定した場

合、26-27dB/kmと大差がなくなる。この条件において、60GHzの送信電力を100mW、400GHz

の電力を4mWとし、両者のアンテナ開口を10cmx10cmとして、受信電力が1pWとなる伝送距離

を計算してみると、電力が1/25であっても400GHzの方が遠くまで伝送できるという結果に

なる。これは、周波数とともにアンテナ利得が増加する、すなわち電波の指向性が増すた

めに、単位断面積当たりの電力密度が高くなるため少ない送信電力でも実現可能だからで

ある。電波ビームが「ペンシル」のように鋭いと位置決めを含めて使いにくくなる議論(実

際は光波ほどの使いにくさはない)は別として、周波数とともに出力が減少するという宿

命を持つ電子デバイスにとって重要な結果とも言える。

10-6

10-8

10-10

10-12

0 1 2 310-14

27dB大気・降雨(25mm/h)・霧による損失

送信電力

60GHz 400GHz

26dB

100mW 4 mW

400GHz

60GHz

アンテナ開口: 10cmx10cm

通信距離(km)

受信電力(W

図4-3-1 60GHz無線と400GHz無線の伝送距離の比較(理論計算)[1]

100GHzを超える電波を高速無線通信に利用しようとする試みは、後述するNTTの研究事例

が最初である[2~6]。300GHzを超える発振器やそれを検出するための電子デバイスは、そ

れぞれGunn diodeやSchottky barrier diodeを用いれば、実はミリ波導波管を用いた有線

通信の研究開発が興隆を極めた1970年代でも可能であった。高周波トランジスタ技術が未

熟であった当時でも、ダイオードを用いれば、発振、増幅、検出を行うことができた。NTT

の手法は、図4-3-2に示すように、送信機にフォトニクス技術を用いている点が特徴であ

る。現在の光ファイバ通信に象徴されるように、光波の領域では、ギガはもちろんテラビ

ットもの伝送容量をハンドリングすることが可能となっている。すなわち、同図に示すよ

うに、光の領域でテラヘルツ帯の信号(テラヘルツ周波数で強度変調された光信号)の発

生と変調を行い、最後にフォトダイオードで光電変換して、電気(電波)信号として空間

に放射するという考え方である。この手法によれば、テラヘルツ波を、きわめて広帯域で

108

Page 35: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

安定に発生させることが可能であるばかりでなく、光領域で信号変調を行うため、100Gbps

を超える変調が可能となる。光電変換デバイスのみがボトルネックであり、そのほかの技

術は、すでに光通信分野において開発済のものが利用できる。

電気的キャリア発生器

「電気」技術による送信機

THz波

データ信号

変調器(Mixer)

増幅器 増幅器200~300GHz

光学的キャリア発生器

光変調器

光信号 電気信号データ信号

「フォトニクス」技術による送信機

>1THz >100GHz >1THz

光増幅器 光電変換器

>300GHz

<1THzBW<20GHz

THz波

図4-3-2 電気技術による送信機とフォトニクス技術を用いた送信機の比較

NTTは、図4-3-3に示すようなフォトニクス技術を利用した送信機により、電波の窓(大

気減衰が低い領域)であり、また電波天文の観測業務との干渉が避けられる125GHzを中心

周波数とした120GHz帯の無線システムの開発を行い平成14年には無線としては当時最高の

10Gbpsの伝送速度を達成した[4]。その後、フォトダイオードの後段にInP HEMTによる増幅

器を付加するとともに受信機にも低雑音の前置増幅器を導入することで、出力10mWで1kmを

超える伝送が可能な無線システムを開発した[5]。さらに平成16年には、送信機全部を電子

デバイスで構成すること(図4-3-4)にも成功し、送受信機ともにInP HEMTによるMMICで

構成できるようになった[6,7]。また、送信機の電力増幅器の出力性能を上げるとともに、

誤り訂正技術(FEC: Forward Error Correction)の開発によって、3kmを超える長距離通信

にも成功している[8]。平成20年には、現場でのアンテナの取付け法や取扱いの容易性を考

慮したシステムを開発し、同年8月の北京オリンピックにおいてフジテレビジョンと共同で

放送中継に利用した[9]。そのほか、平成21年7月の大阪での皆既日食の中継や平成22年2月

の札幌雪祭りなどでのフィールドトライアルで実績を積んでいる。

フォトニクス技術を送信機に利用したシステムは、米国Battele研究所においても採用さ

れ、94GHz帯での実験が進められている。同じフォトニクス技術を駆使し、BPSKやQPSKによ

る周波数利用効率の改善の検討も報告されている。また、韓国ETRIにおいても、同様にフ

ォトニクス技術を用いた送信機の研究が行われている。

109

Page 36: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

データ変調器

送信機本体

CDR

E/O

光変調器 LPF

HEMT増幅器

UTC-PD CDRレシーバ

MMIC

E/O

受信機本体

データ入力データ出力

120GHz/94GHz帯無線

EDFA

O/E制御器

LNA

光信号

電気信号

光サブTHz信号発生源125 GHz94 GHz

図4-3-3 フォトニクス技術を用いた送信機による無線システムの構成

XFP モジュール(O/E)

データ

IN

送信機モジュール

アンテナへ

光信号(10-Gbit/s)

LO:15.625 GHz

パワーアンプ

送信機 MMICてい倍器(x4) MMICLO:62.5GHz

パワーアンプMMIC

(InP-HEMT)

LO 信号 IN

データ IN

図4-3-4 全電気技術を用いた120GHz帯無線送信機

欧州でのテラヘルツ無線技術の研究は、ドイツのテラヘルツ通信研究所(Technical Uni

versity of Braunschweig)が先導している[10,11]。主として、屋内での無線LANへの応用

を目指して、300GHz帯での屋内伝搬特性や、テラヘルツ波を効率的に反射する壁紙の開発

を行っている。実験的には、図4-3-5に示すように、市販の電子部品モジュールを組み合

わせて300GHz帯送受信機を構成し、伝送帯域などの基本特性を評価している。実際には300

GHz帯でアナログビデオ信号(数Mbps)の伝送をデモンストレーションするに留まっている。

110

Page 37: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

Oscillator

Oscillator

x3

x3

x3

x3

150 GHz

0~10 GHz<0.5 mW

290~310 GHz

5~15 GHz

Multiplier

Multiplier

Data

16.66 GHz

16.38 GHz 147.5 GHz

50 µW

290~310 GHz送信

受信

DRO

REF

図4-3-5 テラヘルツ通信研究所(独)による送受信機の構成

オシロスコープ

光アンプ

ダイオード

光変調器

UTC-PD

テラヘルツ波

パルスパターン発生器

波長可変光源

波長可変光源

ホーンアンテナプリアンプ

リミットアンプ

誤り検出器

誘電体レンズ

送信機 受信機

Optical frequency

Optical frequency

1 0 1 1 0 0 1

f

fRadio frequency

λ2

λ1

IF frequency

IF frequency

図4-3-6 フォトニクス技術を用いた送信機による300GHz帯無線システムの構成

大阪大学とNTTは、120GHz帯無線の開発当初と同様にフォトニクス技術を用いた送信機

(図4-3-6)により300-400GHz帯でのギガビット無線伝送に成功している[12,13]。

他にテラヘルツ無線に関する様々な議論が、IEEE802委員会(無線LAN/MANに関するIEEE

の標準化組織)内に設置されたIEEE 802.15 WPAN Terahertz Interest Group (IGthz)で繰

り広げられている。詳しくは、ホームページ[14]からドキュメントがダウンロードできる。

111

Page 38: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

[1] C. M. Mann: “Towards terahertz communications systems,” Terahertz Sources and Systems, ed. R. E.

Miles et al. (Kluwer Academic, Dordrecht, 2001) pp. 261-267.

[2] T. Nagatsuma, A. Hirata, Y. Royter, M. Shinagawa. T.Furuta, T. Ishibashi, and H. Ito, “A 120-GHz

integrated photonic transmitter”, Tech. Dig. Interm. Topical Meeting on Microwave Photonics 2000,

pp. 70-73, 2000.

[3] A. Hirata, M. Harada and T. Nagatsuma, “Multi-Gigabit/s wireless links using millimeter-wave

photonic techniques,” Tech. Dig. Interm. Topical Meeting on Microwave Photonics 2001, Tu-2.8, pp.

77-80, 2001.

[4] T. Minotani, A. Hirata, and T. Nagatsuma, “A broadband 120-GHz. Schottky-diode receiver for

10-Gbit/s wireless links,” IEICE Trans. Electron., vol.E86-C, no.8, pp.1501–1505, Aug. 2003.

[5] A. Hirata, T. Kosugi, H. Takahashi, R. Yamaguchi, F. Nakajima, T. Furuta, H. Ito, H. Sugahara, Y.

Sato, and T. Nagatsuma, “120-GHz-band millimeter-wave photonic wireless link for 10-Gb/s data

transmission,” IEEE Trans. Microwave Theory Tech., vol. 54, no. 5, pp.1937-1944, May 2006.

[6] A. Hirata, H. Takahashi, R. Yamaguchi, T. Kosugi, K. Murata, T. Nagatsuma, N. Kukutsu, and Y.

Kado, “Transmission characteristics of 120-GHz-band wireless link using radio-on-fiber

technologies,” J. Lightwwave Technol., vol. 26, no. 15, pp. 2338–2344, Aug. 2008.

[7] T. Kosugi, M. Tokumitsu, K. Murata, T. Enoki, H. Takahashi, A. Hirata, and T. Nagatsuma,

“120-GHz Tx/Rx waveguide modules for 10-Gbit/s wireless link system,” in IEEE Compound

Semiconduct. IC Symp. Dig., pp. 25–28, Nov. 2006.

[8] A. Hirata, R. Yamaguchi, T. Kosugi, H. Takahashi, K. Murata, T. Nagatsuma, N. Kukutsu, Y. Kado,

N. Iai, S. Okabe, S. Kimura, H. Ikegawa, H. Nishikawa, T. Nakayama, and T. Inada, “10-Gbit/s

wireless link using InP HEMT MMICs for generating 120-GHz-band millimeter-wave signal,” IEEE

Trans. Microwave Theory Tech., vol. 57, no. 5, pp.1102-1109, 2009.

[9] Y. Kado and T. Nagatsuma, “Exploring sub-THz waves for communications, imaging, and gas

sensing”, PIERS Proceedings, Beijing, 42, pp. 42 – 47, 2009.

[10] R. Piesiewicz, M. Jacob, M. Koch, J. Schoebel, and T. Kürner, “Performance analysis of future

multigigabit wireless communication systems at THz frequencies with highly directive antennas in

realistic indoor environments,” IEEE Journal Selecterd Topics in Quantum Electronics, vol. 14, no. 2,

pp. 421-430, March/April 2008.

[11] C. Jastrow, K. Münter, R. Piesiewicz , T. Kürner, M. Koch

and T. Kleine-Ostmann,

“300 GHz

Channel Measurement and Transmission System”, Tech. Dig. 2008 Infrared, Millimeter and

Terahertz Waves (IRMMW-THz 2008), M3A3.1342, September 2008.

[12] T. Nagatsuma, H.-J. Song, Y. Fujimoto, K. Miyake, A. Hirata, K. Ajito, A. Wakatsuki, T. Furuta, N.

Kukutsu, and Y. Kado, “Giga-bit wireless link using 300-400 GHz bands,” Tech. Dig. IEEE

International Topical Meeting on Microwave Photonics, Th.2.3, October 2009.

[13] H.-J. Song, K. Ajito, A. Hirata, A. Wakatsuki, Y. Muramoto, T. Furuta, N. Kukutsu, T. Nagatsuma

and Y. Kado, “8 Gbit/s wireless data transmission at 250 GHz,” IEE Electron. Lett., vol. 45, no. 22,

October 2009.

[14] http://www.ieee802.org/15/pub/IGthz.html.

112

Page 39: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

4-4 電波行政上の諸課題

国際的な電波周波数の分配・割当ならびに標準化はITU-R(国際電気通信連合・無線通信

部門)において行われている。ここで定められる無線通信規則は、有限な資源である無線

周波数・静止衛星軌道の合理的・効率的かつ経済的な利用、遭難や安全通信の保護、有害

な混信の防止を目的としている。周波数有効利用のための必要最低限の利用、他国との混

信回避のための分配割当て、既に使用している人たちに有害な混信を与えない(早い者勝

ちルール:ただし、後から使用する人たちを排除するのではなく、共用の精神。)、等が

一般的な規則である。

3~4年に一度開催される世界無線通信会議(次回はWRC-12:World Radio Conference 2012、

2012年(平成24年)1月23日~2月17日)では、周波数利用に関して様々な取決めがなされ

る。テラヘルツ帯周波数に関連するものでは、WRC-12の議題1.6(決議950)がある。以下

に議題1.6(AI1.6)を引用する。

AI 1.6:"to review No. 5.565 of the Radio Regulations in order to update the

spectrum use by the passive services between 275 GHz and 3 000 GHz, in accordance

with Resolution 950 (Rev。 WRC 07),and to consider possible procedures for

free-space optical-links, taking into account the results of ITU R studies, in

accordance with Resolution 955 [COM6/9] (WRC 07)"

現在の周波数分配の上限は275GHzである。電波法上、電波として定められている最大周

波数は3,000GHzである。275GHz以上、3,000GHz以下の周波数帯の利用については、脚注5.565

によって、受動業務(電波天文、地球観測衛星等)が利用する帯域が定められている。ま

た能動業務の実験的利用が認められている。

275GHz~3,000GHzでの受動業務(天文観測、地球観測)に関しては、周波数分配は行わ

れていないが、実際に観測等が進められていることを踏まえ、脚注5.565の内容を改定する

議題1.6(決議950)の下、研究が行われている。ITU-RのSG7は科学業務を取扱う研究委員

会であり、標準時(WP7A)、宇宙研究・宇宙運用・気象衛星等の宇宙無線システム(WP7B)、

地球探査衛星業務(WP7C)、電波天文(WP7D)に関する研究を行っている。WP7Dでは電波

天文上重要なスペクトル線リスト(1,000~3,000GHz)を含む新勧告草案が策定されつつあ

った。このリストは国際天文学連合総会(2009.8、リオデジャネイロ)において審議され、

幾つかのスペクトル線を追加した後に承認された。これを受けたWP7D(2009.9)では新勧

告草案の承認が行われ、引き続いて開催されたSG7会合では、新勧告案(Rec. ITU-R

RA.[1-3THz])が採択され、承認手続きが進んでいる。この勧告の成立は国際的な協力によ

り進められているALMA(Atacama Large Millimeter/Submillimeter Array)プロジェクト

と関連性が深い。

一方、能動業務に関しては、2009年(平成21年)2月25日~3月4日にソウルにて開催され

たITU-R WP1A会合(スペクトラム管理技術、共用に関する作業部会)において、日本より

入力文書1A/118(275~3 000GHzにおける能動業務の技術動向(パルス光源による分光分析

装置、短距離レーダー、無線)について、情報提供するもの)が入力された。この文書1A/118

は我が国からの受動業務以外での使用可能性に関する情報提供文書であるが、更なる技術

113

Page 40: ASK HBT HEMT InP LNA SiCMOS NF CMOS

情報が盛り込まれる予定であるため、WP5C, 7C, 7D等へのリエゾン文書の発出は見送った。

本入力文書に関し、議長から具体的にどの周波数帯が使われるのかとの質問があり、我が

国より用途により連続した周波数帯(100GHz-10THz)で使う場合と、特定周波数帯を使う場

合があるとの応答を行っている。この先、更なる技術情報の入力を行い、次々回のWRC-16

の議題として、WRC-12へ提案する等の活動を積極的に行っていく必要がある。

デファクトスタンダードのIEEEにおいては、WPANの802.15にTerahertz Interest Group

(IGTHz)があり活動を行っている。第1回会合は2008年(平成20年)1月に台北にて開催さ

れた。2010年(平成22年)3月のOrlandoの会合から、ドイツのTHz Communication LabのDr.

Thomas Kuernerが議長となった(副議長:AT&T Dr. David Britz)。現状の活動は、802.15

が定める5つのクライテリアに関するテラヘルツ帯無線の可能性を示すドキュメント作り

のため、多数のテラヘルツ技術関連情報を集めること(IGTHz会合での発表、他)を目標と

している。ドキュメントが十分に揃えば、スタディーグループ(SG)へ昇格させることも

考えられるが、現状ではまだその時期ではないというのが、IGTHzでの共通認識である。SG

になる際には、テラヘルツ無線全体としてではなく、個別の応用毎にSGを構成して行くこ

とになると考えられる。本調査検討会の活動を取りまとめた本報告書は、技術情報として

も貴重であり、IGTHzへ当該情報を提供できれば、今後、IGTHzの活動にも貢献できるだろ

う。

IGTHzにおいてはITU-Rでの受動業務の周波数に関する議論に対しての関心が高い。能動

業務と受動業務の共用を図るために、802.16(ITU-Rへのリエゾン)を通して、ITU-Rへ文

書の入力を行い、ITU-Rにおいて共用に関する議論を行っていく必要がある。このためには

各国の能動業務の関係者が協議し能動業務側の統一見解をまとめ、これにより受動側との

共用に関する議論を行うことが肝要であると認識されている。この点に関しては、同じ組

織内に受動側と能動側を持つ(独)情報通信研究機構(NICT)への期待が高い。NICT内での合

意が、ITU-Rにおける受動側と能動側の合意形成のベースとなる可能性が大きく、IGTHzと

NICTの連携が望まれている。

114


Recommended